◎課程大綱:
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【課程綱要】
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【課程內容】
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半導體材料與積體電路之發展及應用
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◆ 半導體基本原理
◆ 矽半導體材料的特點
◆ 積體電路元件介紹 (含先進Strain Si, FINFFET, GAAFET)
◆ 第三代半導體材料之特點
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◆ IC製造流程介紹
◆ 先進High k/Metal Gate, 鋁製程、銅製程介紹
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◆ 晶圓清洗
◆ 業界晶片清洗步驟
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◆ 氧化物薄膜性質
◆ 熱氧化製程、RTP
◆ 氧化層薄膜之應用
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◆ 微影簡介
◆ 光罩介紹
◆ 黃光微影製造流程
◆ 先進微影技術 (光學增強技術/ 多重曝光/ 浸潤式微影)
◆ 新世代微影技術 (EUV, E-Beam)與優缺點
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◆ 擴散製程及其應用
◆ 離子佈植及其應用
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◆ 薄膜沉積
◆ 金屬沉積(金屬物理式沈積、金屬CVD、先進Cu製程電鍍或無電鍍技術)
◆ 先進原子層沉積(ALD)技術
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◆ 蝕刻參數
◆ 電漿乾蝕刻原理及其應用
◆ 乾蝕刻的限制與優缺點
◆ 濕蝕刻的限制與優缺點
◆ 化學機械研磨 (CMP)
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IC製程整合
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◆CMOS製造流程
◆IC製程整合流程規範
◆IC良率 (Yield)
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◎課程建議對象:
1. 電機/電子/材料/機械/化工/資訊等相關研發工程師、產品設計師、生產製造工程師、研究員。
2. 欲瞭解半導體製程及電性驗證、工業安全與淨零碳綠色製程之工程師或有興趣者。
2. 欲瞭解半導體製程及電性驗證、工業安全與淨零碳綠色製程之工程師或有興趣者。
上課日期:115年05月07日~05月08日(週四~五)
上課時間:09:00~17:00;每天7小時,共計14小時





