(P107126)深次微米元件與製程模擬-進階應用(實作課)

開課日期:2018-10-28 課程費用:5000
上課時間:假日 / 上午,下午 學習時程:共18小時,9:00~16:00
上課地點: 新竹市大學路1001號交通大學電子資訊研究大樓503室 map
適用對象:
半導體產業暨相關系統業者之在職人員或有相關技術需求者
收藏課程
課程特色
本課程旨在使用當代TCAD元件模擬器去建構並模擬三維度深次微米元件,包括深次微米HKMG MOSFET、鰭式場效應電晶體、全閘極奈米線場效應電晶體的電氣特性,如直流特性、電容特性、短通道參數;同時簡介並進行溫度效應、量子效應、製程變異、與隨機擾動之模擬實作。
詳細內容

1. 前瞻深次微米元件傳輸模式與模擬實務概論

2. 鰭式場效應電晶體/奈米線場效應電晶體之製程模擬實作

3. 鰭式場效應電晶體/奈米線場效應電晶體之元件結構模擬實作

4. 前瞻深次微米元件之DC/AC特性模擬實作與短通道參數萃取

5. 溫度效應、量子效應、製程變異、與隨機擾動之模擬實作  

 

師資介紹

李義明 老師

現職國立交通大學電機系  教授

經歷

  • 國立交通大學模式與模擬研究中心副主任、國立交通大學TCAD模擬實驗室主任、美國史丹福大學電機系訪問學者、法國格勒諾布爾國立理工學院PHELMA/IMEP-Lahc訪問教授、日本東北大學原子分子材料科学高等研究機構合聘教授、美國麻州大學電機資訊工程系訪問助理教授、國家奈米元件實驗室副主任、國家奈米元件實驗室電腦模擬技術組以及奈米元件技術組組長、工研院系統晶片中心技術顧問、ISE台灣分公司技術顧問、美國矽谷Lovoltec技術顧問
     

專長

  • 1. 元件物理、模式與模擬
    2. 等效電路參數萃取與實務
    3. 積體電路理論、模擬與最佳化
    4. 電腦輔助設計、TCAD/ECAD
報名方式
如您對本課程有興趣,或需相關諮詢,請於下方留下您的聯絡資訊,我們將派專人與您聯繫,為您安排上課事宜,或回覆問題,感謝您!
備註
學員自付學費【由科管局補助80%】
.5,000元 備註:一般價
.4,500元 備註:特約廠商、3人(含)以上團報價
.4,000元 備註:5人(含)以上團報、同時報名P107125+P107126二門課
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