(P107153)新穎鐵電負電容電晶體

開課日期:2018-08-15 課程費用:3000
上課時間:週三 / 晚上 學習時程:共9小時,18:30~21:30
上課地點: 新竹市大學路1001號國立交通大學光復校區工程四館教室 map
適用對象:
半導體產業暨相關系統業者之在職人員或有相關技術需求者
收藏課程
課程特色
課程摘要:
1.電容在電晶體內扮演的角色(IDL/Spacer)。

2.傳統電容vs.負電容之差異。

3.節能電晶體/物聯網的開發與應用。

4.近3年負電容相關發展重點。
詳細內容
課程大綱:

1. Introduction to Principles of Negative Capacitance FETs.

2. Challenges and Opportunity on nanoscale device

3. Current Progress and Review on 2015-2018 IEDM/VLSI Symposia.
師資介紹

唐英瓚 副研究員

現職 NDL奈米實驗室奈米元件組  副研究員

經歷

  • Postdoctoral research, YPlabs(李遠鵬), NCTU
  • DAAD scholarship junior researcher, Material Computation Dept., Technical University at Berlin, Germany.
  • Thin-Film Process Engineer (high-κ/Metal gate & NiSi science), TSMC.
  • FinFET Process Integrate Engineer, R&D in 2D/NC materials, Narlabs, NDL.

專長

  • TCAD & First Principle Calculation.
  • 半導體製成與整合(N28~N10).
新穎二維通道材料與鐵電負電容電晶體整合
報名方式
如您對本課程有興趣,或需相關諮詢,請於下方留下您的聯絡資訊,我們將派專人與您聯繫,為您安排上課事宜,或回覆問題,感謝您!
備註
學員自付學費【由科管局補助80%】
.3,000元 備註:一般價
.2,500元 備註:特約廠商、3人(含)以上團報價
.2,000元 備註:5人(含)以上團報優惠價
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