(P107129)先進奈米級電晶體技術(含UTB、FinFET與奈米線元件)

開課日期:2018-08-02 課程費用:4500
上課時間:週二,週四 / 晚上 學習時程:共15小時,18:30~21:30
上課地點: 新竹市大學路1001號國立交通大學光復校區工程四館教室 map
適用對象:
半導體產業暨相關系統業者之在職人員或有相關技術需求者
收藏課程
課程特色
課程摘要:
協助學員瞭解傳統平面CMOS元件發展的瓶頸與解決方案,3D半導體元件結構發展趨勢,3D半導體元件技術在邏輯與記憶體晶片之發展現況,與新式節能元件之原理與發展。




目前主流的平面CMOS元件結構預測在幾年內就將難以再微縮下去,屆時將會引用新式立體3D的結構(如FinFET)來延續邏輯電路的製作。
另一方面,記憶體晶片早以使用立體3D的電晶體結構來進行奈米技術的量產。
當代生產線與研發工程人員須對這些有別於傳統的各種新式結構特徵及其優缺點,以及相關的製程加工技術須有正確的認知,才能面對與應付將來新一代技術的挑戰與開發。
本課程將可帶給IC產業相關工程與研發人員完整與心有價值的資訊,為下一代的量產技術作準備。
詳細內容
課程大綱:
1. Planer CMOS: Scaling Trends and Challenges
2. Advanced Logic Device Technology
 - Ultra-thin body devices
 - Double-gated and tri-gated devices
 - Gate-all-around structure
 - Independent multiple-gated devices
 - Ultimate CMOS
師資介紹

林鴻志 教授

現職國立交通大學電子工程學系  教授

經歷

  • 國家奈米元件實驗室 研究員、副主任
  • 交通大學奈米中心副主任
專長奈米元件技術薄膜電晶體技術半導體製程元件可靠性分析
報名方式
如您對本課程有興趣,或需相關諮詢,請於下方留下您的聯絡資訊,我們將派專人與您聯繫,為您安排上課事宜,或回覆問題,感謝您!
備註
學員自付學費【由科管局補助80%】
.4,500元 備註:一般價
.4,000元 備註:特約廠商、3人(含)以上團報價
.3,000元 備註:5人(含)以上團報優惠價
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