(P107122)CMOS電性量測與分析技術

開課日期:2018-06-20 課程費用:5000
上課時間:週三 / 晚上 學習時程:共20小時,18:30~21:50
上課地點: 新竹市大學路1001號國立交通大學光復校區工程四館教室 map
適用對象:
半導體產業暨相關系統業者之在職人員或有相關技術需求者
收藏課程
課程特色
課程摘要:
從初階的系統建置、雜訊排除開始,由淺入深,搭配各式精密數位儀表以及高階針測臺,對奈米CMOS元件的測量原理、方法及其量測系統作深入介紹,使學員能掌握CMOS元件特性及影響其特性參數之量測知識。
本課程採教學、實作並行,使學員能立即吸收上課內容。
建議至少修畢一學期「半導體元件物理」或類似課程。

詳細內容

課程大綱

初階

1.低電流/低電壓測試系統(Low current/low voltage measurement technology)

2.MOS電容基本參數測試(Basic parameters of MOS capacitor)

3.MOSFET基本參數測試(Basic parameters of MOSFET)

中階    

1.接觸阻抗測試技術(Contact resistance measurement method)

2.介面能態測試技術(Interface state density measurement method)

3.電荷汲取測試技術(Charge pumping measurement method)
 
師資介紹

崔秉鉞 教授

現職國立交通大學電子工程學系  教授

經歷工業技術研究院電子工業研究所經理(正工程師)

專長

  • -半導體元件物理
  • -積體電路技術
-電性測試
報名方式
如您對本課程有興趣,或需相關諮詢,請於下方留下您的聯絡資訊,我們將派專人與您聯繫,為您安排上課事宜,或回覆問題,感謝您!
備註
學員自付學費【由科管局補助80%】
.5,000元 備註:一般價
.4,500元 備註:特約廠商、3人(含)以上團報價
.4,000元 備註:5人(含)以上團報優惠價
.3,000元 備註:學生價(需出示學生證)
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